时间：2026年4月23日
地点：韩国首尔
人物：SK海力士管理层
事件详情：当地时间2026年4月23日，SK海力士召开2026年第一季度财报电话会议，宣布HBM4E内存正按计划开发，目标2027年量产，2026年下半年起向客户供应样品。该产品采用已验证的1c nm制程DRAM裸片，良率与量产能力成熟。同时，公司计划2026年内将超半数韩国本土NAND产能升级至321层V9技术。
背景：随着AI算力需求的爆发式增长，HBM高带宽内存成为AI芯片的关键组件。SK海力士作为HBM市场的领导者，持续推动技术迭代以满足市场需求。HBM4E作为下一代产品，将为英伟达等AI芯片厂商提供更高性能的内存解决方案。
影响：
- 巩固SK海力士在HBM市场的领先地位
- 为AI芯片厂商提供更高带宽的内存解决方案
- 超半数NAND产能升级至321层V9技术
- 聚焦龙仁半导体集群扩产
- 暂无新建或收购晶圆厂计划
- 满足2027年AI算力需求的增长预期
总结：SK海力士HBM4E量产计划的推进展示了公司在高带宽内存领域的持续创新能力和市场领导力。通过稳定的制程技术和成熟的量产能力，SK海力士将继续为全球AI产业提供关键的内存解决方案，支撑AI算力的持续增长。
参考来源：
- https://www.donews.com/news/detail/8/6526145.html
- https://www.skhynix.com
- https://news.skhynix.com
- https://www.businesskorea.co.kr
- https://www.koreaherald.com
