IBM发布全球首款亚1纳米芯片技术，0.7nm晶体管密度较2纳米翻倍

时间：2026年6月25日 地点：美国，IBM研究院 人物：IBM半导体研发团队 事件详情：6月25日，IBM正式发布了全球首款亚1纳米（sub-1nm）芯片技术，将晶体管工艺节点推进至0.7纳米（即7埃米），标志着半导体行业正式迈入埃米（Angstrom）时代。该技术采用革命性的三维纳米堆叠（NanoStack）晶体管架构，将晶体管纵向垂直堆叠并交错排列，是业界首个已知的三维纳米片堆叠设计。单颗指甲盖大小的芯片可集成近1000亿颗晶体管，晶体管密度达到IBM在2021年发布的2纳米芯片的两倍。据IBM官方数据，对比2nm节点，0.7nm芯片最高性能提升50%，能效直接提升70%。整套技术依托新材料和全新蚀刻沉积工艺完成突破，解决传统平面微缩的物理瓶颈，验证了芯片器件尺寸逼近原子级别仍可稳定提升性能与能效的可行性。受此消息提振，IBM美股盘前一度涨超6%。 背景：自2021年IBM发布全球首款2纳米芯片技术以来，半导体行业一直沿着摩尔定律持续演进，但传统平面微缩的物理极限逐渐逼近。IBM的0.7nm技术采用三维堆叠（Nanostack）架构，将晶体管垂直堆叠，同时引入背面供电网络（Backside Power Delivery）和High NA EUV光刻配套工艺，从根本架构上突破了微缩瓶颈。根据官方规划，鉴于纳米栈技术在亚1nm节点的早期采用，IBM预计最快五年内可实现量产。该成果部分内容同步在VLSI 2026大会上呈现。 影响： - 摩尔定律在传统硅基工艺极限边缘获得重大延伸，0.7nm验证了原子级微缩的可行性 - 新芯片将为大模型训练、云端超算、车载智能终端等高算力场景提供前所未有的能效支持 - 从产业角度看，IBM的技术突破为芯片行业指明了三维堆叠的未来方向，将推动台积电、三星、英特尔等代工厂加速相关技术研发 - IBM盘前股价大涨6%，资本市场对亚纳米半导体技术的前景给予积极回应 总结：IBM发布的全球首款亚1纳米芯片技术是半导体行业的一次里程碑式突破。通过三维纳米堆叠架构，IBM在指甲盖大小的芯片上集成了近1000亿颗晶体管，在2nm基础上实现性能提升50%、能效提升70%的飞跃。虽然距离量产还需约五年时间，但这一技术成果证明了摩尔定律在接近物理极限时仍有创新空间，为AI时代的算力需求提供了激进的技术路线图。 参考来源： https://new.qq.com/rain/a/20260626A00B6U00 https://new.qq.com/rain/a/20260625A096M900 https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_6626a3d488501565 https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_9916a3d1e5a89852 https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_5536a3d3b2273365 https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_7796a3d1fee77452 https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_0516a3d540501052 https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_2786a3d06df06352