长鑫存储首次量产HBM3E AI内存国产破壁

时间：2026年8月31日 地点：中国合肥 人物：长鑫存储（CXMT）、阿里巴巴 T-Head、寒武纪（Cambricon）、SK 海力士、三星电子、美光 事件：长鑫存储首次实现 HBM3E 高带宽内存的小规模量产 据 The Information 报道，长鑫存储（CXMT）已开始小规模量产 HBM3E 高带宽内存芯片，良率约 25%，落后 SK 海力士、三星和美光约 3-5 年。阿里巴巴 T-Head 与寒武纪已对长鑫的 HBM3E 样片进行测试，最快 2027 年用于自身 AI 芯片产品。这一突破有望缓解美国对华 HBM 出口管制带来的供应链瓶颈。 背景：HBM（高带宽内存）是 AI 训练与推理的关键存储部件，通过将多颗 DRAM 芯片垂直堆叠并贴近处理器，提供远超传统 DRAM 的带宽。三星、SK 海力士、美光三家企业长期垄断 HBM 市场，目前正批量出货 HBM4 并送样 HBM4E。受美国出口管制影响，中国 AI 芯片厂商长期面临高端 HBM 采购难题。 长鑫存储 2026 年 7 月完成上海 IPO，募资 86 亿美元，但招股书未将 HBM 列为募投项目。该公司计划将 DRAM 总产能的约 20%（月产 6 万片晶圆）转向 HBM 制造，并拟于 2027 年实现 12 层 HBM3E 量产，进一步缩小与韩国厂商差距。 影响：长鑫 HBM3E 量产是中国 AI 内存国产化的重要里程碑，标志着国产 HBM 首次进入小批量供货阶段。短期来看，其良率与代际差距仍使其难以撼动韩美三大厂的统治地位；但若 2027 年扩产顺利，将与国产 AI 芯片（昇腾、寒武纪、阿里 T-Head）形成完整闭环，显著提升中国 AI 基础设施的自主可控能力，并可能在标准 DRAM 端率先对三星、SK 海力士形成价格压力。 总结：长鑫存储 HBM3E 量产虽规模有限，但打破了中国 AI 内存"卡脖子"的关键一环，与近期长鑫上半年营收同比增 873%、净利 776 亿的财报表现相互印证。 参考来源： 1. https://the-decoder.com/chinas-cxmt-makes-its-first-hbm3e-chips-closing-the-ai-memory-gap/ 2. https://www.theinformation.com/articles/chinas-cxmt-makes-breakthrough-advanced-memory-chips 3. https://newsletter.semianalysis.com/p/chinas-cxmt-is-set-to-challenge-dram 4. https://www.tomshardware.com/tech-industry/cxmt-closes-up-466-percent-in-shanghai-debut-with-no-hbm-project-in-its-ipo-prospectus 5. https://techtimes.com/articles/324570/20260815/south-korea-chip-data-memory-277-logic-down-ai-buys-bandwidth-not-compute.htm 6. https://www.icgoodfind.com/cms/Article/get/article_id/17825 7. https://www.toutiao.com/article/7661301669258363438