# 长鑫存储Q2利润率82% 首超三星海力士
时间:2026年9月11日
地点:中国合肥 / 全球DRAM市场
人物:长鑫存储
事件详情:全球经济调查分析平台QUICK FactSet 9月11日发布最新数据,2026年第二季度长鑫存储息税前利润率(EBIT Margin)达到82%,一举超过SK海力士(76%)与三星电子半导体业务(70%),成为当期全球盈利水平最高的存储芯片厂商。同期长鑫存储营收同比增长约10倍至995.1亿元,在长鑫、三星、SK海力士、美光、铠侠、闪迪六家主要厂商中增速排名第一。
背景:长鑫利润率飙升的核心驱动来自AI算力热潮下的存储芯片供需结构性变化。三星、SK海力士、美光正将更多晶圆产能转向用于AI服务器的高带宽内存(HBM),传统DRAM供应趋紧,DDR5价格大幅上涨。长鑫存储以DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等通用型DRAM为主力产品,直接受益本轮涨价红利。Counterpoint Research报告显示,2026年Q2全球DRAM市场总营收同比飙升385%,长鑫市场份额从2023年不到1%、2025年Q2的4%、2026年Q1的8%,跃升至Q2的10%,首次达到两位数,排名全球第四。
影响:这是中国存储厂商首次在季度EBIT利润率上同时反超三星和SK海力士两大韩系巨头,标志全球DRAM盈利格局出现历史性位移。母公司长鑫科技(688825.SH)2026年上半年实现营收1503.1亿元、同比增长873.64%,净利润776.05亿元、扭亏为盈,主营业务毛利率达84.84%。长鑫正以合肥和北京双12英寸晶圆基地推进产能扩张,2026年末月投片产能将突破30万片,并已与腾讯、阿里云、字节跳动、联想、小米等核心客户展开深度合作。
总结:中国存储芯片首次在全球盈利效率上跑赢韩美巨头,AI驱动的HBM产能再分配成为关键变量;长鑫存储借此完成从市场边缘到利润榜首的跃升,但与三星在DRAM营收绝对规模上仍存在量级差距。
参考来源:
https://cj.sina.com.cn/articles/view/5182171545/134e1a99902002jhv0
https://www.toutiao.com/article/7684121887730893338
https://www.myzaker.com/article/6aa4b6238e9f091c3f2d81c1
https://www.163.com/dy/article/L6I9NIT80550B1DU.html
https://k.sina.com.cn/article_1887344341_707e96d502001v7iy.html









