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美光预警AI内存短缺将持续至2026年后,HBM与DRAM需求激增

时间:2026年5月26日

地点:美国爱达荷州博伊西

人物:美光科技

事件详情:美光科技官方发出预警,受人工智能领域对HBM、DRAM及NAND产品需求激增影响,全球内存市场供应紧张局面将持续至2026年之后。摩根大通发布投资报告称,美光科技管理层在第54届全球科技、媒体与通信年度大会上明确,当前HBM、NAND及DRAM芯片产能受限,难以满足人工智能模型性能提升的需求。

背景:人工智能大模型训练与推理对内存需求呈指数级增长,特别是HBM高带宽内存成为AI芯片的关键组件。内存市场供需失衡加剧的直接原因包括代际更迭性能提升放缓、新型HBM芯片裸片尺寸增大,以及DRAM制造工艺中EUV光刻技术应用的复杂性提高。

影响:
- 美光1γ工艺节点被规划为历史上晶圆产量最高的DRAM节点,目前正加速将EUV光刻技术整合至该节点制造流程
- HBM、NAND及DRAM芯片产能受限将影响AI芯片出货节奏,可能导致AI算力基础设施建设周期延长
- 内存价格上涨将推高AI训练和推理成本,可能影响部分AI应用的商业化进度
- 行业分析师预计内存短缺将推动内存厂商加大投资力度,加速先进制程产能扩充

总结:美光的预警揭示了AI算力产业链面临的内存瓶颈问题。随着AI模型规模持续扩大,对高带宽内存的需求将持续增长,内存短缺可能成为制约AI产业发展的重要因素之一。行业需在技术创新和产能投资两方面同时发力以应对挑战。

参考来源:
https://k.sina.com.cn/article_7857201856_1d45362c001905ya0s.html
http://finance.sina.com.cn/stock/t/2026-05-26/doc-inhzevaq2961358.shtml
https://finance.sina.com.cn/stock/t/2026-05-26/doc-inhzevaq2913054.shtml
https://www.jiemian.com/article/14474085.html
http://finance.sina.com.cn/roll/2026-05-26/doc-inhzevaw1560418.shtml