SK海力士正式交付12层HBM4E样品 下一代AI存储器进入验证阶段

时间：2026年6月18日 地点：韩国首尔 人物：SK海力士（SK hynix） 事件详情：6月18日，全球存储芯片龙头企业SK海力士宣布，已正式向主要客户供应12层堆叠HBM4E工程验证样品。该产品是面向人工智能应用的下一代超高性能DRAM，峰值速率可达16Gbps，单颗容量高达48GB。新产品采用SK海力士自研的升级版先进批量回流模制底部填充（Advanced MR-MUF）封装工艺，在实现12层垂直堆叠的同时，显著增强了多层堆叠结构的机械可靠性与运行稳定性。相比上一代HBM4，HBM4E在性能和能效方面均实现了跨越式升级。 背景：HBM（高带宽内存）已成为AI芯片性能提升的关键瓶颈之一。随着大语言模型参数规模持续膨胀，AI训练和推理对内存带宽的需求呈指数级增长。SK海力士长期占据HBM市场领先地位，此前已为英伟达H100、H200等旗舰AI芯片供应HBM3E。按照规划，HBM4E将于2027年正式量产，今年下半年将集中完成客户测试验证与性能优化流程。 影响： - 标志着HBM4E从研发阶段正式进入客户验证阶段，SK海力士在下一代AI存储器竞赛中继续保持领先优势 - 直接缓解AI训练和推理场景中的内存带宽瓶颈，为英伟达等AI芯片厂商的下一代产品提供关键配套支撑 - 对三星、美光等竞争对手形成显著压力，HBM市场格局或将进一步向SK海力士集中 - HBM4E的推进节奏表明，AI基础设施供应链正在加速匹配算力端的爆发式增长需求 总结：SK海力士此次HBM4E样品交付是AI存储领域的里程碑事件。作为全球HBM市场的绝对龙头，SK海力士通过自研封装工艺实现了12层堆叠的技术突破，在容量、速率和可靠性三个维度同步提升。随着2027年量产节点临近，HBM4E有望成为下一代AI芯片的标配存储方案，进一步推动AI算力基础设施的升级迭代。 参考来源： https://news.skhynix.com.cn/ https://new.qq.com/rain/a/20260618A01ZRG00 http://www.chinaaet.com/news/newproduct/