SK海力士砸54万亿韩元建两座AI存储晶圆厂

时间：2026年8月7日 地点：韩国（龙仁 / 清州） 人物：SK海力士董事会；SK海力士管理层 事件详情： 2026年8月7日，SK海力士董事会决议通过，在韩国龙仁 Y2 与清州 M17 晶圆厂建设项目中分别投资 35.2 万亿韩元和 19.1 万亿韩元，合计投资约 54 万亿韩元（约 382.82 亿美元 / 2567 亿元人民币）。龙仁 Y2 晶圆厂总建筑面积约 113 万平方米，将作为 DRAM 生产基地，主要生产 HBM 等新一代 DRAM 产品，项目计划 2027 年 7 月开工，2029 年 6 月启用首个无尘室。清州 M17 NAND 闪存晶圆厂总建筑面积约 68 万平方米，计划 2027 年 2 月开工，2028 年 12 月启用首个无尘室。 背景： 此次投资是 SK 海力士 6 月公布的中长期投资战略的关键落地。当时 SK 海力士宣布计划向龙仁半导体集群投资 600 万亿韩元、向清州生产基地扩建投资 100 万亿韩元，整体扩产计划总投资约 4300 亿美元。三星电子同样参与韩国政府主导的本土芯片产业战略。SK 海力士已将龙仁半导体集群整体竣工时间由原定 2045 年大幅提前至 2033 年，Y2 投资将分阶段实施至 2031 年 10 月。AI 时代 HBM、KV 缓存、Agentic 与 Physical AI 等新型应用正推动 DRAM 与 NAND 需求结构性增长。 影响： - 54 万亿韩元投资规模刷新 SK 海力士单次投资纪录，体现 AI 时代存储芯片的战略价值 - 龙仁 Y2 投产后将显著扩大 HBM 等高端 DRAM 产能，巩固 SK 海力士在 AI 算力供应链中的核心地位 - 清州 M17 NAND 厂与现有产线协同增效，强化企业级固态硬盘与 AI 推理存储市场布局 - 韩国半导体产业借大规模产能扩张稳固全球 AI 半导体供应链的关键枢纽地位 总结： SK 海力士董事会批准合计约 54 万亿韩元（约 382.82 亿美元）投资计划，将在韩国龙仁和清州新建两座 AI 存储晶圆厂，分别瞄准 HBM 等高端 DRAM 与 NAND 闪存产能扩张。其中龙仁 Y2 项目将于 2029 年 6 月、清州 M17 项目将于 2028 年 12 月启用首个无尘室。此次投资是公司 4300 亿美元整体扩产计划的关键步骤，旨在通过前瞻性产能布局把握 AI 时代存储需求结构性增长机遇，稳固全球 AI 半导体供应链核心合作伙伴角色。 参考来源： - https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_1376a75921a36252 - https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_8196a76830092552 - https://new.qq.com/rain/a/20260807A0BOFO00 - https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_9086a769a2b77852 - https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_2796a7754cf72452