英伟达请求台积电生产3D DRAM 存储供应链或迎新变局

时间：2026 年 11 月 6 日，据《The Information》报道，AI 芯片设计公司英伟达正式向其最大代工客户台积电提出请求，要求后者评估生产先进 3D DRAM 存储芯片的可行性。台积电已启动内部评估，由先进封装业务副总裁徐国晋牵头，研究新建工厂或收购现有半导体工厂并改造为存储产线两种方案。 地点：事件核心发生在中国台湾。台积电总部及主要工厂位于中国台湾，其先进封装业务副总裁徐国晋负责主导评估。潜在的新建工厂或收购标的也位于中国台湾。与此同时，英伟达总部位于美国，其最大竞争对手三星电子和 SK 海力士位于韩国，美光科技总部位于美国。 人物：英伟达（Nvidia）、台积电（TSMC）、徐国晋（台积电先进封装副总裁）、三星电子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK hynix）、美光科技（Micron Technology）。 事件详情：根据《The Information》11 月 6 日的报道及多家媒体交叉印证，英伟达因 AI 加速器产能持续受限，正式请求台积电建立专用存储芯片生产线，以缓解高带宽存储器（HBM）的长期供应紧张。台积电目前正评估两条路径：一是新建晶圆厂，二是收购现有半导体工厂并改造为 DRAM 产线。若项目落地，这将是台积电自 1987 年成立以来首次从纯晶圆代工厂延伸至存储制造领域，直接与三星、SK 海力士及美光在 DRAM 市场正面竞争。台积电早在 2020 年就已申请 3D DRAM 架构专利，并在 2025 年年报中披露了晶圆对晶圆键合技术的稳定良率。 背景：AI 算力需求爆发导致存储芯片供需失衡。随着英伟达不断推出更强大的 AI 加速器，数据中心对 HBM 和服务器 DRAM 的需求快速增长。由于 HBM 生产占用大量先进 DRAM 产能，存储厂商纷纷将资源向高附加值产品倾斜，进一步加剧供应紧张。目前，三星电子和 SK 海力士控制约 85% 的 DRAM 市场，其中 SK 海力士在 HBM 领域的市场份额超过 50%。为应对需求，美光今年 3 月宣布以 18 亿美元收购力积电一座工厂，计划 2027 年下半年形成产能。 影响：台积电若进入存储制造，将打破当前由三星、SK 海力士、美光主导的 DRAM 格局。对英伟达而言，这意味着可能摆脱对现有存储厂商的依赖，减少季度性价格谈判和供应短缺的影响。对台积电自身，2026 年资本支出预计已达 600 亿至 640 亿美元，若再建存储工厂，支出将进一步攀升。存储芯片具有明显周期性，价格涨跌剧烈，台积电需要权衡 AI 需求持续性与大规模资本投入的风险。 总结：英伟达请求台积电生产 3D DRAM，反映出 AI 算力军备竞赛已深入到供应链底层。台积电从纯晶圆代工跨入存储制造，一旦成行，将是全球半导体产业格局数十年来的最大变动之一。目前项目仍处于可行性评估阶段，台积电官方表示不评论市场传闻，最终决策预计要到 2027 年 1 月的投资者大会才会揭晓。 参考来源： East Asia Brief 报道 https://eastasiabrief.com/semiconductors/tsmc-reviews-vertical-3d-dram-production-nvidia-request-1193 财联社报道 https://finance.eastmoney.com/news/1354,202611073925244565.html 南方财经网报道 https://www.sfccn.com/2026/11-7/0NMDE0MDdfMjI5NzA0Ng.html Business Insider 报道 https://markets.businessinsider.com/news/stocks/nvidia-reportedly-wants-tsmc-to-make-advanced-memory-chips-1036732424 TechPowerUp 报道 https://www.techpowerup.com/354547/tsmc-is-reportedly-considering-3d-dram-production