Micron年底HBM产能翻倍 主攻Vera Rubin

时间：2026 年 9 月 4 日 地点：美国爱达荷州博伊西（总部）/ 中国台湾台中（封装厂） 人物：美光（Micron）、SK 海力士、三星、英伟达 事件详情：韩国《Electronic Times》9 月 4 日报道，美光计划在 2026 年底前将 HBM（高带宽内存）月产能从去年的 4 万–5 万片晶圆提升至约 10 万片，几乎翻倍。该笔资本支出将主要用于 12 层堆叠的 HBM4 量产，正是英伟达下一代 Vera Rubin AI 加速器的标配内存。美光已加大对台中（台湾）、新加坡以及日本广岛 HBM 封装设备厂的设备订单。美光 HBM4 在其 HBM 总产出中的占比预计将从年初的 20%–30% 升至年底的 50%。报道指出，美光 2026 年全年的 HBM 产能已"售罄"，全部以长期合同形式锁定。 背景：SK 海力士与三星当前 HBM 月产能各在 15 万–20 万片晶圆，仍是美光的 3–4 倍，合计占据全球 HBM 市场近 80% 份额。美光今年股价累计上涨约 256%，市值在 5 月突破 1 万亿美元——这是该公司历史上最快的万亿里程碑爬升过程。CEO Sanjay Mehrotra 在 6 月财报会上披露，HBM4 12 层产品的量产爬坡速度约为 HBM3E 的两倍，HBM4 累计出货收入已超过 10 亿美元。 影响：美光产能翻倍将缩小其与两家韩国巨头的差距，但即便达到 10 万片仍落后 SK 海力士与三星至少 50%。TrendForce 预计 2026 年 DRAM 合约价一季度已上涨 93%–98%，二季度还将再涨 58%–63%，意味着 AI 数据中心对 HBM 的需求仍远超供给。在 AI 算力扩张链条中，HBM 已成为继英伟达 GPU 之后的下一处关键瓶颈，美光的扩产对缓解全球 AI 内存紧缺、平抑价格具有正面作用。 总结：美光年底前 HBM 月产能翻倍至 10 万片、HBM4 占总产出 50%，是 AI 内存链争夺战升级的最新注脚，亦表明英伟达 Vera Rubin 的量产爬坡即将获得更稳定的供应链。 参考来源： 1. https://www.techinasia.com/news/micron-plans-double-hbm-output-ai-demand-grows 2. https://ttmgoal.com/news/1139878608 3. https://primexbt.one/news/micron-reportedly-doubles-hbm-output-as-ai-chip-demand-outpaces-supply 4. https://partofstyle.com/micron-races-to-double-hbm-output-by-2026-as-samsung-and-sk-hynix-hold-scale-advantage/ 5. https://cs.bulios.com/status/262097 6. https://smartbrainsai.com/microns-hbm-chips-are-sold-out-through-2026-as-ai-memory-demand-crushes-supply 7. https://based.info/microns-200-billion-capacity-bet-signals-ai-memory-inflection-as-supply-tightens-through-2027 8. https://www.theindextoday.com/?p=1230/