英伟达催单台积电 计划生产3D DRAM存储芯片

时间：2026年11月6日 地点：中国台湾、美国 人物：英伟达、台积电 事件详情：据《The Information》11月6日报道，台积电应其最大客户英伟达的要求，已开始起草生产垂直堆叠3D DRAM先进存储芯片的计划。这一举措旨在缓解当前AI算力建设中的内存供应瓶颈，满足人工智能基础设施对高带宽存储的迫切需求。消息公布后，台积电美国存托凭证当日早盘一度上涨7.7%。 背景：随着大模型训练和推理对算力需求爆发，AI服务器的内存带宽已成为关键瓶颈，传统DRAM供应难以满足需求。英伟达作为全球AI芯片龙头，其GPU产品对高带宽内存和先进DRAM的需求持续增长，此前已多次向供应链传递产能紧张信号。台积电作为全球最大晶圆代工厂，此次考虑切入存储芯片领域，被视为其拓展AI相关业务布局的重要一步。 影响：若台积电正式量产3D DRAM，将直接补充AI算力产业链的存储环节产能，缓解英伟达等客户的供应压力，也可能改变当前存储芯片行业的竞争格局。对台积电自身而言，这标志着其从单纯的晶圆代工向更广泛的AI基础设施组件制造延伸，有望打开新的增长空间。不过，先进存储芯片的研发和量产门槛较高，台积电仍需跨越技术和专利壁垒。 总结：英伟达向台积电“催单”3D DRAM的消息，反映出AI产业对高性能存储的迫切需求，也显示出龙头客户对供应链的强大话语权。台积电若能成功量产，将进一步完善AI算力产业链布局，但相关进展仍需等待官方正式公告。 参考来源： 星岛日报引用The Information报道 https://www.stheadline.com/zh-hans/loadnext/0/3634494 ShiftDelete报道 https://shiftdelete.net/en/tsmc-3d-dram CNBC TV18报道 https://www.cnbctv18.com/technology/tsmc-considers-making-advanced-memory-chips-reports-20029284.htm igorslab报道 https://www.igorslab.de/en/tsmc-3d-dram-nvidia-memory-chips/ 36氪报道 https://36kr.com/newsflashes/4059024621392777